松木ME60N04（代替）AOS万代AOD486A N沟道增强模场效应晶体管

mos管 0 17
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   ME60N04一般说明


　　ME60N04 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于需要低在线功率损耗的低压应用，例如 LCD 逆变器、计算机电源管理和 DC 到 DC 转换器电路。


　　ME60N04特征


　　RDS(ON)≦12mΩ@VGS=10V


　　RDS(ON)≦17mΩ@VGS=4.5V


　　超高密度电池设计，RDS(ON) 极低，出色的导通电阻和最大直流电流能力


　　ME60N04应用


　　电源管理


　　DC/DC 转换器


　　LCD TV & Monitor Display 逆变器


　　CCFL逆变器


　　二次同步整流



　　AOD486A一般描述


　　AOD486A采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS （ON）和低栅电荷。该器件适用于PWM、负载开关和通 用应用。 -符合RoHS标准 -无卤素*


　　AOD486A特征


　　VDS(V)=40V ID=50 A（VGS=10V)


　　RDS(ON)<9.8m(VGS=10V)


　　R DS(ON)<13m(VGS=4.5V) ESD保护！


　　100%的UI S测试！


　　100%的Rg测试！


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