ME6980ED一般描述
ME6980ED是双N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些电路需要在非常小的外形表面贴装封装中进行高侧开关和低在线功耗。
ME6980ED特征
RDS(ON)≤14.5mΩ@VGS=4.5V
RDS(ON)≤15 mΩ@VGS=4.0V
RDS(ON)≤17 MΩ@VGS=3.1V
RDS(ON)≤20 mΩ@VGS=2.5V
极低RDS的超高密度电池设计，出色的导通电阻和最大直流电流能力
松木ME6980ED（替代）NCE8205B 双N沟道20V(D-S)增强模式Mosfet方案
ME6980ED应用程序
笔记本中的电源管理
便携式设备
电池供电系统
负载开关
NCE8205B描述
NCE8205B 采用先进的沟槽技术提供，出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和带栅极的操作，电压低至 2.5V。 该设备适合用作，电池保护或其他开关应用。
NCE8205B一般特征
VDS = 20V,ID = 6.5A
RDS(ON) < 27mΩ @ VGS=2.5V
RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=4.5V
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装
NCE8205B应用
电池保护
负载开关
电源管理
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