台湾松木ME3920-G双N沟道 30V(D-S) 笔记本电源管理MOS管方案！

　　ME3920-G一般说明

　　ME3920-G 是双 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术。 这种高密度工艺特别适合最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及非常小的外形表面贴装封装所需的低在线功率损耗。

　　ME3920-G特点

　　● RDS(ON)≦24mΩ@ VGS =10V

　　● RDS(ON)≦46mΩ@VGS=4.5V

　　● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

　　● 出色的导通电阻和最大直流电流能力

　　ME3920-G应用

　　● 笔记本电源管理

　　● DC/DC 转换器

　　● 负载开关

　　● LCD 显示逆变器

　　GENERAL DESCRIPTION

　　The ME3920-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage APPlication such as cellular phone, notebook computer power management and other battery powered circuits, and low in-line power loss that are needed in a very small outline surface mount package.

　　FEATURES FEATURES

　　● RDS(ON)≦24mΩ@ VGS =10V

　　● RDS(ON)≦46mΩ@VGS=4.5V

　　● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

　　● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

　　APPLICATIONS

　　● Power Management in Note book

　　● DC/DC Converter

　　● Load Switch

　　● LCD Display inverter

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