维安WPFxxAxH系列自控保险丝(选型) 产品特征无卤素;贴片电子器件;结构强度高;过电流保护;过充电保护;与回流焊接工艺兼容UL 文件号:E311435标记要求(1)WPF:SCF/Way-on SCF保护器(2)额定电流;12A、15A、30A……。(3)电芯串数(4)长宽尺寸代号;H:5.4×3.2mm(5)年份:D:2018;E:2019……(6)一年中的第几周;01、02……52.(7)流水号;01、02……... 2023-09-08 15:16:03 半导体芯片 192 0
维安WPFxxAxJ系列自控保险丝(选型) 产品特征无卤素;贴片电子器件;结构强度高;过电流保护;过充电保护;与回流焊接工艺兼容UL 文件号:E311435标记要求(1)WPF:SCF/Way-on SCF保护器(2)额定电流; 12A、15A、22A……。(3)电芯串数;(4)长宽尺寸代号;J:4.0×3.0mm;(5)年份;E:2019;F:2020;G:2021……(6)一年中的第几周;01、02……52.(7)流水号;0... 2023-09-08 15:14:55 半导体芯片 67 0
维安WPFxxAxR系列自控保险丝(选型) 产品特征无卤素;贴片电子器件;结构强度高;过电流保护;过充电保护;与回流焊接工艺兼容UL 文件号:E311435标记要求 (1)WPF:SCF/Way-on SCF保护器 (2)额定电流;05A (3)电芯串数 (4)长宽尺寸代号;R:2.7×1.8mm 测试条件在没有附加测试环境标准的情况下,测试环境标准如下;环境温度:5~35℃;相对湿度:45~85%RH;气压:86至10... 2023-09-08 15:13:53 半导体芯片 47 0
维安WGM100PC120T1三相PIM IGBT模块 产品概述:WGM100PC120T1 ,1200V,100A三相PIM IGBT模块,采用Trench Field Stop技术。功率集成模块整流器和制动斩波器。产品特征:Trench-FS IGBT低 VCE 集低开关损耗低 LSTj max=175 ℃100%RBSOA 测试(2Ic)VCE 设置为正温度。 系数RoHS产品应用:电机驱动伺服驱动器WGM100PC120T11200... 2023-09-08 15:12:29 半导体芯片 42 0
维安WGM150FC120T1三相PIM IGBT模块 产品描述:WGM150FC120T1 1200V,150A Sixpack IGBT 模块,采用 Trench Field Stop 技术产品特征:Trench-FS IGBT低 VCE 集低开关损耗低 LSTj max=175 ℃VCE 设置为正温度。 系数RoHS产品应用:电机驱动伺服驱动器... 2023-09-08 15:07:59 半导体芯片 44 0
维安WGM200HC120T1,200A双IGBT模块 WGM200HC120T1 1200V,200A 双IGBT模块,采用Trench Field Stop技术特征:Trench-FS IGBT低 VCE 集低开关损耗低 LSTj max=175 ℃100%RBSOA 测试(2Ic)VCE 设置为正温度。 系数RoHS应用:电机驱动伺服驱动器UPS焊接WGM200HC120T1 1200V,200A dual IGBT module w... 2023-09-08 15:07:33 半导体芯片 45 0
维安WGM300HC120T1,300A双IGBT模块 WGM300HC120T1 1200V,300A 双IGBT模块,采用Trench Field Stop技术特征:Trench-FS IGBTLow VCE set低开关损耗低 LSTj max=175 ℃100%RBSOA Tested(2Ic)VCE 设置为正温度。 系数RoHS应用:电机驱动伺服驱动器UPS焊接WGM300HC120T11200V,300A dual IGBT m... 2023-09-08 15:07:04 半导体芯片 38 0
维安WGM450HD120T1,450A双IGBT模块 WGM450HD120T1 1200V,450A 双IGBT模块,采用Trench Field Stop技术特征:Trench-FS IGBTLow VCE set低开关损耗Low LSTj max=175 ℃100%RBSOA 测试(2Ic)VCE 设置为正温度。 系数应用:电机驱动伺服驱动器UPS焊接WGM450HD120T1 1200V,450A dual IGBT module... 2023-09-08 15:06:29 半导体芯片 40 0
维安WGM600HD120T1,600A双IGBT模块 WGM600HD120T1,1200V,600A双IGBT模块,采用Trench Field Stop技术特征:Trench-FS IGBT低 VCE 集低开关损耗低 LSTj max=175 ℃100%RBSOA 测试(2Ic)VCE 设置为正温度。 系数RoHS应用:电机驱动伺服驱动器UPS焊接WGM600HD120T1,1200V,600A dual IGBT module wi... 2023-09-08 15:06:02 半导体芯片 37 0
维安WMA26N60C2,600V超级结功率MOSFET 产品描述:WMOSTM C2 是 Wayon 的第二代超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSTMC2 适用于需要更高功率密度和出色效率的应用。产品特征:VDs=650V@Tj.maxTyp.RDS(on) =0.16Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素产品应用:LED Lighting, Charger, Adapter, PC,... 2023-09-08 15:02:27 半导体芯片 87 0