维安WGM200HC120T1，200A双IGBT模块

半导体芯片 0 46
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WGM200HC120T1 1200V，200A 双IGBT模块，采用Trench Field Stop技术


特征：

Trench-FS IGBT

低 VCE 集

低开关损耗

低 LS

Tj max=175 ℃

100%RBSOA 测试（2Ic）

VCE 设置为正温度。 系数

RoHS


应用：

电机驱动

伺服驱动器

UPS

焊接

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WGM200HC120T1 1200V，200A dual IGBT module with Trench Field Stop technology


Features：

Trench-FS IGBT

Low VCE set

Low Switching Loss

Low LS

Tj max=175 ℃

100%RBSOA Tested（2Ic）

VCE set with positive temp. coefficient

RoHS


Applications:

Motor Drives

Servo Drives

UPS

Welding


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