维安WMO11N80M3,800V超结功率MOSFET

维安WMO11N80M3,800V超结功率MOSFET

产品描述WMOS M3 是 Wayon 的第 3 代 800V 超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征VDs=850V@Tj.maxTyp.RDs(on) =0.68Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素产品应用LED照明,充电器,适配器,电脑,液晶电视,服务器...
半导体芯片 46 0
维安WMM11N80M3,800V超结功率MOSFET

维安WMM11N80M3,800V超结功率MOSFET

产品描述WMOS M3 是 Wayon 的第 3 代 800V 超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征VDs=850V@Tj.maxTyp.RDs(on) =0.68Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素产品应用LED照明,充电器,适配器,电脑,液晶电视,服务器...
半导体芯片 37 0
维安WML25N50C4,500V超结功率MOSFET

维安WML25N50C4,500V超结功率MOSFET

描述WMOS c4 是Wayon 的第4 代超级结MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和极低的栅极电荷性能。WMOS c4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征VDs=550V @Tj.maxTyp.RDs(on) =0.125Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明,充电器,适配器,电脑,液晶电视,服务器...
半导体芯片 80 0
维安WMK25N50C4,500V超结功率MOSFET

维安WMK25N50C4,500V超结功率MOSFET

描述WMOS c4 是Wayon 的第4 代超级结MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和极低的栅极电荷性能。WMOS c4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征VDs=550V @Tj.maxTyp.RDs(on) =0.125Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明,充电器,适配器,电脑,液晶电视,服务器...
半导体芯片 39 0
维安WMN25N50C4,500V超结功率MOSFET

维安WMN25N50C4,500V超结功率MOSFET

描述WMOS c4 是Wayon 的第4 代超级结MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和极低的栅极电荷性能。WMOS c4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征VDs=550V @Tj.maxTyp.RDs(on) =0.125Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明,充电器,适配器,电脑,液晶电视,服务器...
半导体芯片 49 0
维安WMM25N50C4,500V超结功率MOSFET

维安WMM25N50C4,500V超结功率MOSFET

描述WMOS c4 是Wayon 的第4 代超级结MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和极低的栅极电荷性能。WMOS c4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征VDs=550V @Tj.maxTyp.RDs(on) =0.125Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明,充电器,适配器,电脑,液晶电视,服务器...
半导体芯片 37 0
维安WMO25N50C4,500V超结功率MOSFET

维安WMO25N50C4,500V超结功率MOSFET

描述WMOS c4 是Wayon 的第4 代超级结MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和极低的栅极电荷性能。WMOS c4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征VDs=550V @Tj.maxTyp.RDs(on) =0.125Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明,充电器,适配器,电脑,液晶电视,服务器...
半导体芯片 42 0
维安WMJ25N50C4,500V超结功率MOSFET

维安WMJ25N50C4,500V超结功率MOSFET

描述WMOS c4 是Wayon 的第4 代超级结MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和极低的栅极电荷性能。WMOS c4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征VDs=550V @Tj.maxTyp.RDs(on) =0.125Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明,充电器,适配器,电脑,液晶电视,服务器...
半导体芯片 56 0
维安WM02N28M-N沟道MOSFET

维安WM02N28M-N沟道MOSFET

产品特征VDS= 20V,ID = 2.8ARDS(on) < 60mΩ @ VGS = 4.5VRDS(on) < 100mΩ @ VGS = 2.5V  低栅极电荷Trench Power LV MOSFET 技术机械特性SOT-23 封装标记:编写代码符合 RoHS 标准原理图和 PIN 配置...
半导体芯片 38 0
WAYQN维安0603贴片保险丝

WAYQN维安0603贴片保险丝

特点: 玻璃陶瓷主体和银熔丝元件的多层单片结构,镀镍和纯锡焊料的银端子,提供出色的可焊性,兼容波峰焊和回流焊工艺,工作温度范围:-55℃至+125℃。零件编号额定电流(A)额定电压 (V)DC保险丝 DCR(mΩ)破坏(A)数据表0603WNF800A032V8.0327.0500603WNF700A032V7.0329.0500603WNF600A032V6.03211500603W...
半导体芯片 54 0