维安WMK05N70MM,700V齐纳保护功率MOSFET 产品描述WMOSTM MM 是 Wayon 的新一代超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSTM MM 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征VDs=750V@Tj.maxTyp.RDS(on) =1.2Ω超低栅极电荷(典型值 Qg = 5.3nC)齐纳保护产品应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视Descriptio... 2023-09-07 10:28:47 半导体芯片 69 0
维安WMF08N60C4,600V 超级结功率 MOSFET 描述WMOS TM C4 是 Wayon 的第 4 代超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征VDS =650V @ Tj,最大值典型。 RDS(on) =0.65Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器Description... 2023-09-07 10:28:06 半导体芯片 34 0
维安WMF08N65C4,650V超级结功率 MOSFET 描述WMOSTM C4 是 Wayon 的第四代超级结MOSFET系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极充电性能。 WMOSTM C4适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds =700V @ Tj,max典型RDS(on)=0.65Ω100% UI 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务DescriptionWMOSTM C4 i... 2023-09-07 10:26:56 半导体芯片 45 0
维安WMF08N80M3,800V超级结功率 MOSFET 描述WMOSTM M3 是 Wayon 的第三代 800V 超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds =850V@Tj,max典型。 RDS(on)=1.2Ω100% UI 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视DescriptionWMOSTM... 2023-09-07 10:13:51 半导体芯片 31 0
维安WMF10N60C4,600V超级结功率 MOSFET 描述WMOSTM C4 是 Wayon 的第四代超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极充电性能。 WMOSTM C4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征•Vds =650V @ Tj,max•典型 RDS(on)=0.52Ω•100% UI 测试•无铅电镀,无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视DescriptionWMOSTM... 2023-09-07 10:02:46 半导体芯片 40 0
维安WMF10N65C4,650V超级结功率 MOSFET 描述WMOSTM C4 是 Wayon 的第 4 代超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds =700V @ Tj,max典型。 RDS(on)=0.52Ω100% UI 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视... 2023-09-07 09:53:23 半导体芯片 64 0
维安WMR80N65C4,650V功率MOSFET 描述WMOS C4 是 Wayon 的第 4 代超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS C4 适用于需要更高功率密度和出色效率的应用。特征VDs=700V@Tj,最大值Typ.Rps(on) =0.033Ω100%UIS 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明,充电器,适配器,PC,LCDTV,服务器Description WMOS C... 2023-09-07 09:51:46 半导体芯片 47 0
维安WMx03N80M3,800V功率 MOSFET 描述WMOS M3 是 Wayon 的第三代 800v 超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS M3 适用于需要更高功率密度和出色效率的应用。其他型号:WML03N80M3,WMN03N80M3,WMM03N80M3,WMO03N80M3,WMP03N80M3,WMK03N80M3特征VDs=850V@Tj,最大值Typ.Rps(on... 2023-09-07 09:44:45 半导体芯片 60 0
维安WMO04N60C2,600V功率MOSFET 描述WMOSTM C2 是 Wayon 的第二代超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C2 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征•Vds =650V @ Tj,max•典型。 RDS(on)=1.7Q•100% UI 测试•无铅电镀,无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视其他型号:PartPackageM... 2023-09-07 09:42:57 半导体芯片 41 0
维安WMN04N65DM,650V N沟道功率MOSFET 描述WMOSTM DM是硅N沟道增强型VDMOSFET,采用自对准平面技术获得,可降低导通损耗,提高开关性能,增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。特征快速切换典型。 RDS(on) =2.3Ω低栅极电荷(典型值 Qg = 12.5C)典型。 Crss = 4.1pF100% UIS 测试应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器Par... 2023-09-07 09:42:12 半导体芯片 68 0