维安WM02N28M-N沟道MOSFET

半导体芯片 0 39
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产品特征

VDS= 20V，ID = 2.8A

RDS(on) < 60mΩ @ VGS = 4.5V

RDS(on) < 100mΩ @ VGS = 2.5V

  低栅极电荷

Trench Power LV MOSFET 技术


机械特性

SOT-23 封装

标记：编写代码

符合 RoHS 标准

原理图和 PIN 配置



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