上海贝岭BLP08N10G-Q增强型功率MOSFET

上海贝岭BLP08N10G-Q增强型功率MOSFET

产品描述BLP08N10G是N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的双沟槽技术获得,可降低传导损耗,提高开关性能并增强雪崩能量。 这是适用于同步整流和高速开关应用的器件。优势特点快速切换低导通电阻低栅极电荷低反向传输电容高雪崩坚固性RoHS 产品产品应用同步整流高速开关应用...
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上海贝岭BLP12N10G-U增强型功率MOSFET

上海贝岭BLP12N10G-U增强型功率MOSFET

产品描述BLP12N10G是N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的双沟槽技术获得,可降低导通损耗,提高开关性能。 这是适用于同步整流器和高速开关应用的器件。产品特征    快速切换    低导通电阻(RDS(on)≤12mΩ)    低栅极电荷    低反向传输电容    高雪崩耐用性    RoHS 产品产品应用    切换应用    同步整流器...
半导体芯片 46 0
Belling贝岭BL7141WH高速四通道数字隔离器

Belling贝岭BL7141WH高速四通道数字隔离器

1、产品概述BL714x 是高性能的四通道数字隔离器,可实现输入/输出之间完全的电气隔离。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅(SiO2) 绝缘栅相隔离,四个数据通道完全独立,可将输入数据进行编码并在接收端无失真恢复。BL7140 器件具有四条全部同向的通道,输出侧具有输出使能;BL7141 器件具有三条正向通道和一条反向通道,两侧均具有输出使能;高耐压,面向电机、隔离...
半导体芯片 122 0
Nisshinbo日清纺R1245L003H-TR-AE降压DC/DC变换器

Nisshinbo日清纺R1245L003H-TR-AE降压DC/DC变换器

R1245x是一种基于cmos的降压DC/DC变换器,具有内部n通道高侧Tr。内置高侧晶体管的ON电阻为0.35,R1245x可以提供最大1.2 a输出电流。每个集成电路由振荡器、PWM控制电路、电压参考单元、误差放大器、相位补偿电路、斜率补偿电路、软启动电路、保护电路、内部稳压器和引导电路开关组成。集成电路可以由电感、电阻、二极管和电容组成降压DC/DC转换器。R1245x是一种无...
半导体芯片 42 0