中国台湾松木MEE2348A-GN沟道增强型功率场效应晶体管 一般说明MEE2348A-G是一种N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Force MOS专利的扩展沟槽栅极（ETG）技术。这项先进技术是专门为最小化导通电阻和栅极电荷，并增强雪崩能力而量身定制的。这些设备特别适用于中压应用，如充电器、适配器、笔记本电脑电源管理和其他照明调光供电电路，以及非常小的外形表面安装封装中所需的低在线功耗。特征RDS（ON）≤130 mΩ@VGS=10VRDS（O... 2024-07-31 11:38:13 mos管 37 0
