松木P沟道 30V (D-S) MOS管ME4435/ME4435-G(替代)CJQ4435方案
P 沟道 30V (D-S) MOSFETME4435一般说明ME4435 是采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产的 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小的外形表面贴装封装中实现高侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路。ME4435特征● RDS(ON)...