松木ME6980ED(替代)NCE8205B 双N沟道20V(D-S)增强模式Mosfet方案
ME6980ED一般描述 ME6980ED是双N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用,如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,这些电路需要在非常小的外形表面贴装封装中进行高侧开关和低在线功耗。 ME6980ED特征 RDS(ON)≤14.5mΩ@VGS=4.5V RD...
