30V N通道 MOS管SOT23-6封装 安森德ASDM6802ZC替代AOS万代AO6802方案
ASDM6802ZC特征高功率和电流处理能力获得无铅产品表面贴装封装30V N通道 MOS管SOT23-6封装 安森德ASDM6802ZC替代AOS万代AO6802方案示例图1采用SOT23-6封装ASDM6802ZC应用程序PWM应用负载开关电源管理ASDM6802ZC产品摘要V DS 30 v R DS（开），VGS=10V...
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冠禹KS3205NAT单N沟道高级功率MOSFET-泰德兰电子
产品名称：冠禹KS3205NAT单N沟道高级功率MOSFET 产品型号：KS3205NAT 代理品牌：kwansemi冠禹 产品封装：PDFN5060封装 交期时间：现货一般当天交货，预定需电话详情. 发货货仓：深圳/香港热门标签：KS3205NAT参数，KS3205NAT规格书，KS3205NAT中文资料咨询热线：131-8971 4...
冠禹KS6214DAT单N沟道高级功率 MOSFET-代理商：泰德兰电子
产品名称：冠禹KS6214DAT单N沟道高级功率 MOSFET 产品型号：KS6214DAT 代理品牌：kwansemi冠禹 产品封装：TO-252封装 交期时间：现货一般当天交货，预定需电话详情. 发货货仓：深圳/香港产品特征60V/50A,RDS (ON) =9mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =13mΩ(Typ.)...
精工S-1317/S-1318 5.5V 100mA LDO线性稳压器，超低电流消耗替换方案
产品特性· 输出电压在1.0 V ~ 3.5 V的范围内，以0.05 V为进阶单位来选择· 输入电压1.5 V ~ 5.5 V· 输出电压精度±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V输出产品: ±15 mV) (Ta = +25°C)· 输入输出电压差20 mV (典型值) (2.5 V输出产品、Iout = 10 mA时) (Ta = +25°C)· 工作时消耗电流0.35 μA...
N 沟道 MOS管松木ME50N06A-G（代替）新洁能NCE6030K/NCE6020AK方案
ME50N06A一般说明ME50N06A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于需要低在线功率损耗的低压应用，例如 LCD 逆变器、计算机电源管理和 DC 到 DC 转换器电路。ME50N06A特征● RDS(ON)≦22mΩ@VGS=10V● 超高密度电池设计，RDS(ON...
松木ME60N03（替代）CJU4410 TO-252-2L 塑封 MOSFET方案
松木ME60N03简述：松木ME60N03先进的沟槽工艺技术 用于超低导通电阻的高密度单元设计 专为 PWM 应用的高端开关设计。松木ME60N03特性：VDS=30V RDS(ON), Vgs@10V,Ids@30A ≦ 10mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V,Ids@15A ≦18.5mΩ松木ME60N03应用：●主板（V核）●便携式设...
松木ME60N03（替代）CJU4410 TO-252-2L 塑封 MOSFET方案
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松木ME60N04（代替）AOS万代AOD486A N沟道增强模场效应晶体管
ME60N04一般说明 ME60N04 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于需要低在线功率损耗的低压应用，例如 LCD 逆变器、计算机电源管理和 DC 到 DC 转换器电路。 ME60N04特征 RDS(ON)≦12mΩ@VGS=10...
松木ME6980ED（替代）AOS万代AO8814 共漏双N沟道增强模场效应晶体管
ME6980ED一般描述 ME6980ED是双N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些电路需要在非常小的外形表面贴装封装中进行高侧开关和低在线功耗。 ME6980ED特征 RDS(ON)≤14.5mΩ@VGS=4.5V ...