维安 WMM04N80M3,800V 超级结功率MOSFET 产品描述WMOSTM M3 是 Wayon 的第三代 800V 超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征•Vds =850V @ Tj,max•典型。 RDS(on)=2.1Ω•100% UI 测试•无铅电镀,无卤素产品应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器订... 2023-09-06 10:50:58 半导体芯片 50 0
维安WML05N80M3,800V 超级结功率 MOSFET 描述WMOSTM M3 是 Wayon 的第三代 800V 超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds =850V @ Tj,max典型。 RDS(on)=2.0Ω100% UI 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器Description... 2023-09-06 10:50:22 半导体芯片 48 0
维安WML05N90C2,900V 超级结功率 MOSFET 产品描述WMOSTM C2 是 Wayon 的第二代超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C2 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征•Vds =950V @ Tj,max•典型。 RDS(on)=2.5Ω•100% UI 测试•无铅电镀,无卤素产品应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器Descrip... 2023-09-06 10:49:44 半导体芯片 49 0
维安WML05N100C2,1000V超级结功率 MOSFET 描述WMOSTM C2 是 Wayon 的第二代超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C2 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds = 1050V @ Tj,max典型。 RDS(on)=2.6Ω100% UI 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器选型PartPackageMa... 2023-09-06 10:48:32 半导体芯片 46 0
维安WML20N70EM,700V超级结功率MOSFET 描述WMOSTM EM 是 Wayon 的第三代超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM EM 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征•Vds =750V @ Tj,max•典型。 RDS(on)=0.21Ω•100% UI 测试•无铅电镀,无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器选型PartPackag... 2023-09-06 10:48:04 半导体芯片 61 0
维安WML22N50C4,500V超级结功率MOSFET 描述WMOSTM C4 是 Wayon 的第 4 代超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds =550V @ Tj,max典型。 RDs(on)=0.22Ω100% UI 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器... 2023-09-06 10:47:34 半导体芯片 77 0
维安WMK11N80M3,800V-0.68Ω超结功率MOSFET 产品描述WMOS M3 是 Wayon 的第 3 代 800V 超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征VDs=850V@Tj.maxTyp.RDs(on) =0.68Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素产品应用LED照明,充电器,适配器,电脑,液晶电视,服务器... 2023-09-06 10:47:02 半导体芯片 45 0
维安WMN11N80M3,800V-0.68Ω超结功率MOSFET 产品描述WMOS M3 是 Wayon 的第 3 代 800V 超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征VDs=850V@Tj.maxTyp.RDs(on) =0.68Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素产品应用LED照明,充电器,适配器,电脑,液晶电视,服务器... 2023-09-06 10:46:24 半导体芯片 39 0
维安WMP11N80M3,800V-0.68Ω超结功率MOSFET 产品描述WMOS M3 是 Wayon 的第 3 代 800V 超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征VDs=850V@Tj.maxTyp.RDs(on) =0.68Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素产品应用LED照明,充电器,适配器,电脑,液晶电视,服务器... 2023-09-06 10:45:58 半导体芯片 45 0
维安WML11N80M3,800V超结功率MOSFET 产品描述WMOS M3 是 Wayon 的第 3 代 800V 超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征VDs=850V@Tj.maxTyp.RDs(on) =0.68Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素产品应用LED照明,充电器,适配器,电脑,液晶电视,服务器... 2023-09-06 10:45:30 半导体芯片 48 0