英集芯IP2333单节锂电线性充电芯片 产品简介IP2333 是一款高度集成的、高性能的支持路径管理 1 节锂离子电池线性充电器。IP2333 具有涓流充电(TC)、恒流(CC)和恒压(CV)充电三种充电过程:涓流充电(TC)阶段可预充电以恢复完全放电的电池;恒流(CC)模式下安全地提供降压快速充电;最后阶段恒压(CV)充电模式确保安全地达到电池满容量。IP2333 线性充电器具有非常灵活的配置,可配置充电电流最大到 50... 2023-08-14 16:46:43 半导体芯片 77 0
英集芯IP2365一至四串锂电池降压充电芯片 产品简述IP2365是一款集成同步开关的降压转换器、支持1~4串锂电池/锂离子电池降压充电管理IC。IP2365内置功率MOS, 采用同步开关架构,开关频率250kHz, 转换效率高达95%。IP2365的工作输入电压范围是4.5V到26V,输入可以智能调节充电电流,防止拉挂适配器。支持外接电阻调节输入欠压保护电压。IP2365支持外接电阻调节充电电流,支持最大3A的电池端充电电流:... 2023-08-14 16:42:57 半导体芯片 73 0
英集芯IP2368支持多种快充协议升降压驱动 产品概述 IP2368是一款集成AFC/FCP/PD2.0/PD3.0等输入输出快充协议和同步升降压转换器的锂电池充放电管理芯片; IP2368的高集成度与丰富功能,只需一个电感实现同步降升压功能,在应用时仅需极少的外围器件,有效减小整体方案的尺寸,降低BOM成本。 IP2368支持2/3/4/5/6节串联电芯,可通过外接电阻选择电池串联节数;IP2368支持外接... 2023-08-14 16:42:10 半导体芯片 87 0
英集芯IP2716集成 USB TYPE-C协议充电芯片 产品概述 IP2716 是一款集成 USB TYPE-C 输入输出协议、USB Power Delivery(PD2.0/PD3.0)输入输出协议、QC3.0/2.0 输出快充协议(兼容 DCP 识别功能,兼容BC1.2、苹果和三星手机)、MTK PE+1.1、FCP、SCP、等多功能的电源管理 SOC,为适配器、移动电源、车充提供完整的 TYPE-C 解决方案。 产品特性... 2023-08-14 16:41:25 半导体芯片 97 0
英集芯IP2712集成 USB TYPE-C协议快充芯片 产品概述 IP2712 是一款集成 USB TYPE-C 输出协议、USB Power Delivery(PD2.0/PD3.0)输出协议、QC3.0/2.0 输出快充协议(兼容 DCP 识别功能,兼容 BC1.2、苹果和三星手机)、MTK PE+1.1、FCP、SCP 等多功能的电源管理 SOC,为适配器、车充等单向输出应用提供完整的 TYPE-C 解决方案。 产品特性 集... 2023-08-14 16:40:44 半导体芯片 83 0
英集芯IP2705 USB端口快充协议IC 产品简介IP2705 是一款集成 10 种、用于 USB 输出端口的快充协议 IC,支持 USB 端口充电控制。支持 10种 快 充 协 议 , 包 括 Type-C DFP , HVDCP QC3.0/QC2.0(Quick Charge)Class A 和 Class B,FCP(Hisilicon® Fast Charge Protocol),AFC( Samsung® Ada... 2023-08-14 16:39:08 半导体芯片 54 0
英集芯IP5356快充协议芯片 描述IP5356 是一款集成 QC2.0 / QC3.0/SCP 输出快充协议、FCP/AFC/SFCP 输入输出快充协议、MTK PE+ 1.1&2.0 输出快充协议、USB C/PD2.0/PD3.0 输入输出协议、USB CPD3.0 PPS 输出协议、兼容 BC1.2/苹果/三星手机、同步升/降压转换器、锂电池充电管理、电池电量指示等多功能的电源管理 SOC,为快充移... 2023-08-14 16:36:02 半导体芯片 141 2
WAYON维安LP-MSM150-24自恢复保险丝 特征 小号1812 无铅且符合欧盟 RoHS 指令 2011/65/EU快速跳闸可复位电路保护 用于自动化组装的表面贴装封装 机构认可:UL、TUV包装信息卷带式:每卷 1000 件。有效性:参考文件应是有效的问题招标日期。注意:超出额定电压或电流的操作可能会导致破裂电弧或火焰。零件号 推荐的回流焊方法:IR、气相和热风炉。可... 2023-08-11 17:06:58 半导体芯片 64 0
维安WMQ55P02T1增强型功率MOSFET 描述WMQ55P02T1 采用先进的电源沟槽技术,该技术经过特别定制,可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。特征Vbs= -20V, Ip= -55ARos(on)< 8.2mQ @ Vcs= -4.5VRos(on)< 10mQ @ Vcs= -2.5V提供绿色设备低栅极电荷先进的高细胞密度沟槽技术100% EAS 保证应用大电流负载应用负载切换硬开关和高频电路不... 2023-08-11 17:06:33 半导体芯片 68 0
维安WMR12N03T1 N沟道增强型功率MOSFET 描述WMR 12N03T1 采用先进的电源沟槽技术,该技术经过特别定制,可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。特征Vps =30V,lp=12A Ros(on) < 9mΩ @ Vcs= 10V Ros(on)< 12.5mΩ @ Vcs= 4.5V提供绿色设备高功率和电流处理能力应用电池保护能源管理负载开关... 2023-08-11 17:05:15 半导体芯片 45 0