松木ME60N03（替代）CJU4410 TO-252-2L 塑封 MOSFET方案
松木ME60N03简述：松木ME60N03先进的沟槽工艺技术 用于超低导通电阻的高密度单元设计 专为 PWM 应用的高端开关设计。松木ME60N03特性：VDS=30V RDS(ON), Vgs@10V,Ids@30A ≦ 10mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V,Ids@15A ≦18.5mΩ松木ME60N03应用：●主板（V核）●便携式设...
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松木ME60N04（代替）AOS万代AOD486A N沟道增强模场效应晶体管
ME60N04一般说明 ME60N04 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于需要低在线功率损耗的低压应用，例如 LCD 逆变器、计算机电源管理和 DC 到 DC 转换器电路。 ME60N04特征 RDS(ON)≦12mΩ@VGS=10...
松木ME6980ED（替代）AOS万代AO8814 共漏双N沟道增强模场效应晶体管
ME6980ED一般描述 ME6980ED是双N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些电路需要在非常小的外形表面贴装封装中进行高侧开关和低在线功耗。 ME6980ED特征 RDS(ON)≤14.5mΩ@VGS=4.5V ...
松木ME6980ED（替代）NCE8205B 双N沟道20V(D-S)增强模式Mosfet方案
ME6980ED一般描述 ME6980ED是双N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些电路需要在非常小的外形表面贴装封装中进行高侧开关和低在线功耗。 ME6980ED特征 RDS(ON)≤14.5mΩ@VGS=4.5V RD...
松木ME2345A-G（替换）长电CJ3401A，P沟道30V（D-S）低压MOS管方案！
ME2345A / ME2345A-G，松木ME2345A一般说明：ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要在非常小的外形表面安装封装中进行开关和低串联电源损耗。松木ME2345A...
大功率mos管怎么测量好坏，如何用万用表判断mos管的好坏？够全面！
MOS管是金属氧化物半导体场效应晶体管，或金属绝缘体半导体。 MOS管的源漏是可以倒置的，都是形成在P型背栅中的N型区。大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两端接反，也不会影响设备的性能。这种设备被认为是对称的。 如何用万用表判断mos管的好坏 双极晶体管将输入电流的微小变化放大，然后在输出端输出大电流变化。双极晶体管的增益定义为输出与输入电流的比值 (beta)。另一种称为场...
冠禹MOS\沟槽 MOSFET\P沟道KS2301AA，单 P 沟道高级功率 MOSFET
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KS2368AA中文资料_KS2368AA原理图_KS2368AA电路图及选型方案！
Features--20V/-3.2A,Rds(on)=50mQ 仃 yp.)@VGs=-4.5VRos (ON) =60mQ(Typ. )@VGS=-2,5VLow Rds(on)Super High Dense Cell DesignReliable and RuggedApplicationsLoad SwitchKS2368AA特征--20V/-3.2A,Rds(on)=50m...
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