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松木ME2333-G代替AOS万代AO3415A 20V P沟道MOS管 aos一级代理商AO3415A一般说明AO3415A使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷，并且可在低至1.8V的栅极电压下运行。 该设备适合用作负载开关应用。AO3415A产品概要  VDS -20V  ID（在VGS = -4.5V时）-5A  RDS（ON）...

东芝DF2B6.8AFS参数：制造商零件编号：DF2B6.8AFS,L3M制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：TVS DIODE 5VWM 7VC FSC系列：-类型：转向装置（轨至轨）单向通道：-双向通道：1电压 - 反向关态（典型值）：5V（最小值）电压 - 击穿（最小值）：5.8V电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：7V（标准）电流 -...

SD12-7特征350瓦峰值脉冲功率（tp =8x20μs）IEC 61000-4-2（ESD）：空气– 30kV，触点– 30kVIEC 61000-4-2（ESD），HBM – 16kVIEC 61000-4-4，40AIEC 61000-4-5（闪电），15A通常用于计算机接口保护，数据线和电力线保护完全无铅且完全符合RoHS（注释1和2）不含卤素和锑。 “绿色”设备（注3）S...

mos管N 沟道 100V (D-S) 松木ME15N10替代AOS万代AOD4286 N沟道MOS管ME15N10一般说明：ME15N10是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 高密度工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线...

       今年泰德兰电子网编就转发一条关于AOS 万代官方发布的一款产品型号：AOZ527xQI，下面我们就一起来了解下。　　日前，集设计、研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体、芯片及数字电源产品供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，纳斯达克代码：AOSL）推出了搭配多相直流转换器（VR...

ME2307一般说明ME2307是P-Channel逻辑增强型电源场效应晶体管采用高单元密度，DMOS 沟槽生产技术。 这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。 这些设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路在非常小的外形中需要低在线功率损耗的地方表面贴装封装。ME2307特征● RDS(ON) ≦70mΩ@VGS=-10V● RDS(ON) ≦9...

P 沟道 30V (D-S) MOSFETME4411-G一般说明ME4411-G 是 P 通道逻辑增强模式电源场效应晶体管是使用高单元密度 DMOS 生产的沟槽技术。 这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。 这些设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路需要高侧开关和低在线功率损耗的地方非常小的外形表面贴装封装。ME4411-G特征● RDS(...

ME2302 简述：ME2302 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺特别适合最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝 电话、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及非常小的外形表面贴装封装所需的低在线功率损耗。ME2302 特性:● RDS(ON)≦85mΩ@VGS=4.5V● RDS(ON)≦115mΩ@VGS=...

ME2302 简述：ME2302 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺特别适合最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝 电话、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及非常小的外形表面贴装封装所需的低在线功率损耗。ME2302 特性:● RDS(ON)≦85mΩ@VGS=4.5V● RDS(ON)≦115mΩ@VGS=...

ASDM20N60KQ 一般特征低栅极电荷增强模式快速切换高功率和电流处理能力ASDM20N60KQ 应用DC-DC 初级桥DC-DC同步整流直流风扇ASDM20N60KQ封装TO-252  脉冲宽度受安全操作区限制。基于最大允许结温计算的连续电流。 电流受焊线限制。受 TJmax 限制，IAS =20A，VDD = 15V，RG = 50Ω，起始 TJ = 25°...