维安WM02P160R_P沟道增强型MOSFET

半导体芯片 0 50
Image Description

产品特征

导通小信号 MOSFETs

Vbs= -20V, lp=-16A

Ros(on)< 17mΩ @ VGs= -4.5V

Ros(on)< 21mΩ @ Vss= -2.5V

沟槽低压 MOSFET 技术


机械特性

DFN2020-6L 封装

标记：编写代码

符合 RoHS 标准

原理图和 PIN 配置


Image Description

也许您对下面的内容还感兴趣：

留言0

评论

◎欢迎参与讨论，请在这里发表您的看法、交流您的观点。