Wayon维安WMS09N06TS 60V N沟道增强型功率MOSFET

半导体芯片 0 49
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描述


　　WMS09N06TS采用先进的电源沟槽技术，该技术经过专门定制，可最大限度地减少导通电阻保持卓越的切换性能。


　　特点


　　VDS=60V，ID=9A


　　RDS（接通）<22mΩ@VGS=10V


　　RDS（开）<25mΩ@VGS=4.5V


　　绿色设备可用


　　100%EAS保证


　　针对高速平滑切换进行优化


　　应用程序


　　同步整流


　　DC/DC转换器


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