Nisshinbo日清纺R5460N507AF-TR-FF锂电保护芯片

Nisshinbo日清纺R5460N507AF-TR-FF锂电保护芯片

 R5460x2xxxx系列是基于cmos的高压保护ic,用于可充电双电池锂离子(Li+) /锂聚合物的过充/放电,进一步包括短路保护电路,用于防止外部大短路电流和防止过放电电流和过充电电流的保护电路。每个集成电路都由六个电压检测器、一个参考单元、一个延迟电路、一个短路保护器、一个振荡器、一个计数器和一个逻辑电路组成。当过充电压阈值或过充电流阈值越过各检测器阈值由低到高时,COUT引脚...
半导体芯片 30 0
Nisshinbo日清纺R5460N508AF-TR-FF锂电保护芯片

Nisshinbo日清纺R5460N508AF-TR-FF锂电保护芯片

 R5460x2xxxx系列是基于cmos的高压保护ic,用于可充电双电池锂离子(Li+) /锂聚合物的过充/放电,进一步包括短路保护电路,用于防止外部大短路电流和防止过放电电流和过充电电流的保护电路。每个集成电路都由六个电压检测器、一个参考单元、一个延迟电路、一个短路保护器、一个振荡器、一个计数器和一个逻辑电路组成。当过充电压阈值或过充电流阈值越过各检测器阈值由低到高时,COUT引脚...
半导体芯片 41 0
Nisshinbo日清纺R5460N512AF-TR-FF锂电保护芯片

Nisshinbo日清纺R5460N512AF-TR-FF锂电保护芯片

 R5460x2xxxx系列是基于cmos的高压保护ic,用于可充电双电池锂离子(Li+) /锂聚合物的过充/放电,进一步包括短路保护电路,用于防止外部大短路电流和防止过放电电流和过充电电流的保护电路。每个集成电路都由六个电压检测器、一个参考单元、一个延迟电路、一个短路保护器、一个振荡器、一个计数器和一个逻辑电路组成。当过充电压阈值或过充电流阈值越过各检测器阈值由低到高时,COUT引脚...
半导体芯片 54 0
Nisshinbo日清纺R5460N514AF-TR-FF锂电保护芯片

Nisshinbo日清纺R5460N514AF-TR-FF锂电保护芯片

 R5460x2xxxx系列是基于cmos的高压保护ic,用于可充电双电池锂离子(Li+) /锂聚合物的过充/放电,进一步包括短路保护电路,用于防止外部大短路电流和防止过放电电流和过充电电流的保护电路。每个集成电路都由六个电压检测器、一个参考单元、一个延迟电路、一个短路保护器、一个振荡器、一个计数器和一个逻辑电路组成。当过充电压阈值或过充电流阈值越过各检测器阈值由低到高时,COUT引脚...
半导体芯片 32 0
Nisshinbo日清纺RP122K331D-TR线性稳压器

Nisshinbo日清纺RP122K331D-TR线性稳压器

 产品概述:RP122x是一款LDO稳压器,提供低输出噪声,高纹波抑制和快速响应特性,通过低电源电流实现。这种装置不仅适用于噪声敏感的场合应用如高性能模拟电路,还可用于各种应用。主要优势:实现低噪声,高PSRR和快速响应。采用4引脚小封装,无噪声旁路电容,节省空间。尽管具有低噪声LDO,但凭借9.5 μ A (typp)的低电源电流,为电池供电的设备提供长时间的运行。主要规格:输入电压...
半导体芯片 74 0
Nisshinbo日清纺RP122K181D-TR稳压器LDO

Nisshinbo日清纺RP122K181D-TR稳压器LDO

 产品概述:RP122x是一款LDO稳压器,提供低输出噪声,高纹波抑制和快速响应特性,通过低电源电流实现。这种装置不仅适用于噪声敏感的场合应用如高性能模拟电路,还可用于各种应用。主要优势:实现低噪声,高PSRR和快速响应。采用4引脚小封装,无噪声旁路电容,节省空间。尽管具有低噪声LDO,但凭借9.5 μ A (typp)的低电源电流,为电池供电的设备提供长时间的运行。主要规格:输入电压...
半导体芯片 44 0
Nisshinbo日清纺RP114N331D-TR-FE稳压器 LDO

Nisshinbo日清纺RP114N331D-TR-FE稳压器 LDO

 RP114x是一款基于cmos的稳压IC,具有高输出电压精度,低电源电流,低差和高纹波抑制。该集成电路由电压基准单元、误差放大器、设置输出电压的电阻器、短路限流电路、芯片使能电路等组成。RP114x的最小输入电压为1.4V,输出电压为0.8V至3.6V (0.1V步进)。这个集成电路的输出电压是内部固定的。由于内置晶体管具有低导通电阻,该集成电路具有低降压性能。低供电电流和芯片使能功...
半导体芯片 56 0
Nisshinbo日清纺RP114K331D-TRB低压LDO稳压器

Nisshinbo日清纺RP114K331D-TRB低压LDO稳压器

 RP114x是一款基于cmos的稳压IC,具有高输出电压精度,低电源电流,低差和高纹波抑制。该集成电路由电压基准单元、误差放大器、设置输出电压的电阻器、短路限流电路、芯片使能电路等组成。RP114x的最小输入电压为1.4V,输出电压为0.8V至3.6V (0.1V步进)。这个集成电路的输出电压是内部固定的。由于内置晶体管具有低导通电阻,该集成电路具有低降压性能。低供电电流和芯片使能功...
半导体芯片 31 0
Nisshinbo日清纺RP114K101D-TRB低压LDO稳压器

Nisshinbo日清纺RP114K101D-TRB低压LDO稳压器

 RP114x是一款基于cmos的稳压IC,具有高输出电压精度,低电源电流,低差和高纹波抑制。该集成电路由电压基准单元、误差放大器、设置输出电压的电阻器、短路限流电路、芯片使能电路等组成。RP114x的最小输入电压为1.4V,输出电压为0.8V至3.6V (0.1V步进)。这个集成电路的输出电压是内部固定的。由于内置晶体管具有低导通电阻,该集成电路具有低降压性能。低供电电流和芯片使能功...
半导体芯片 42 0
Nisshinbo日清纺RP112K281D-TR低噪声LDO稳压器

Nisshinbo日清纺RP112K281D-TR低噪声LDO稳压器

 描述RP112x是一款电压调节器(LDO),具有高输出电压精度,低电源电流,低通阻晶体管,低噪声输出电压和高纹波抑制。每个集成电路由以下部分组成:一个电压基准单元,一个误差放大器,一个用于输出电压设置的电阻网,一个限流电路,以及芯片使能电路。RP112x具有超低噪声,其纹波抑制在f = 1 kHz时低至80 dB,在f = 10时低至75 dB f = 100千赫时65分贝。输出噪声...
半导体芯片 61 0