维安WGM450HD120T1，450A双IGBT模块
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维安WMA26N60C2，600V超级结功率MOSFET
产品描述：WMOSTM C2 是 Wayon 的第二代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSTMC2 适用于需要更高功率密度和出色效率的应用。产品特征：VDs=650V@Tj.maxTyp.RDS(on) =0.16Ω100% UIS 测试无铅电镀，无卤素产品应用：LED Lighting， Charger， Adapter， PC，...
维安WMK05N70MM，700V齐纳保护功率MOSFET
产品描述WMOSTM MM 是 Wayon 的新一代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSTM MM 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征VDs=750V@Tj.maxTyp.RDS(on) =1.2Ω超低栅极电荷（典型值 Qg = 5.3nC）齐纳保护产品应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视Descriptio...
维安WMF08N60C4，600V 超级结功率 MOSFET
描述WMOS TM C4 是 Wayon 的第 4 代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征VDS =650V @ Tj，最大值典型。 RDS(on) =0.65Ω100% UIS 测试无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器Description...
维安WMF08N65C4，650V超级结功率 MOSFET
描述WMOSTM C4 是 Wayon 的第四代超级结MOSFET系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极充电性能。 WMOSTM C4适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds =700V @ Tj,max典型RDS(on)=0.65Ω100% UI 测试无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务DescriptionWMOSTM C4 i...
维安WMF08N80M3，800V超级结功率 MOSFET
描述WMOSTM M3 是 Wayon 的第三代 800V 超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds =850V@Tj,max典型。 RDS(on)=1.2Ω100% UI 测试无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视DescriptionWMOSTM...
维安WMF10N60C4，600V超级结功率 MOSFET
描述WMOSTM C4 是 Wayon 的第四代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极充电性能。 WMOSTM C4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征•Vds =650V @ Tj,max•典型 RDS(on)=0.52Ω•100% UI 测试•无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视DescriptionWMOSTM...
维安WMF10N65C4，650V超级结功率 MOSFET
描述WMOSTM C4 是 Wayon 的第 4 代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds =700V @ Tj,max典型。 RDS(on)=0.52Ω100% UI 测试无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视...
维安WMR80N65C4，650V功率MOSFET
描述WMOS C4 是 Wayon 的第 4 代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS C4 适用于需要更高功率密度和出色效率的应用。特征VDs=700V@Tj，最大值Typ.Rps(on) =0.033Ω100%UIS 测试无铅电镀，无卤素应用LED照明，充电器，适配器，PC，LCDTV，服务器Description WMOS C...