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描述WMOS c4 是Wayon 的第4 代超级结MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和极低的栅极电荷性能。WMOS c4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征VDs=550V @Tj.maxTyp.RDs(on) =0.125Ω100% UIS 测试无铅电镀，无卤素应用LED照明，充电器，适配器，电脑，液晶电视，服务器...

产品特征VDS= 20V，ID = 2.8ARDS(on) < 60mΩ @ VGS = 4.5VRDS(on) < 100mΩ @ VGS = 2.5V  低栅极电荷Trench Power LV MOSFET 技术机械特性SOT-23 封装标记：编写代码符合 RoHS 标准原理图和 PIN 配置...

特点： 玻璃陶瓷主体和银熔丝元件的多层单片结构，镀镍和纯锡焊料的银端子，提供出色的可焊性，兼容波峰焊和回流焊工艺，工作温度范围：-55℃至+125℃。零件编号额定电流(A)额定电压 (V)DC保险丝 DCR(mΩ)破坏(A)数据表0603WNF800A032V8.0327.0500603WNF700A032V7.0329.0500603WNF600A032V6.03211500603W...

 Main Characteristics SMD fuse; Fast Acting(F);1140 Designed to UL E311435 Materials Body: Ceramic End Caps: Copper plated with silver Environment Standard Lead-free, Halogen-free, RoHS   Vi...

特点： 玻璃陶瓷主体和银熔丝元件的多层单片结构，镀镍和纯锡焊料的银端子，提供出色的可焊性，兼容波峰焊和回流焊工艺，工作温度范围：-55℃至+125℃零件编号额定电流(A)额定电压 (V)DC保险丝 DCR(mΩ)破坏(A)数据表1206WLS125A072V1.2572325501206WLS100A072V1.072460501206WLS075A072V0.757284050120...

 Main Characteristics SMD fuse; Fast Acting(F);2410 Designed to UL E311435 Materials Body: Ceramic End Caps: Copper plated with silver Environment Standard Lead-free, Halogen-free, RoHS 2410W...

熔断器结构组成：以金属片为熔体，经对熔体冲制成型、焊接、装配、填 砂、固化等工序将熔体装配在陶瓷管体中，两端为装配电极， 得到具有一定耐压及分断能力的熔断器。熔断器性能特点：l 高耐压，大电流，高分断能力l 优秀的灭弧性能，高可靠性l 结构简单，生产效率高...

结构组成：由设有凹槽的两层绝缘基板对称压合构成中空壳体，熔 丝悬置于壳体内腔中，与端电极、贴装电极形成电连接。性能特点：l 200%过流下快速熔断l 优秀的耐脉冲电流能力 l 宽泛的额定电流和电压l 高度密封设计，安全性高...

结构组成：对金属片熔体进行图案设计，将熔体折弯、塑封在耐温 壳体中，熔体两端露出形成贴装电极，得到大电流高可靠性保 险丝性能特点：l 体积小，大电流l 优异的分断能力，高可靠性l 结构简单，生产效率高...

结构组成： 在陶瓷基板表面印刷熔体浆料图案、保护层、字符等， 经过封端、烧结等工序得到厚膜印刷保险丝。性能特点： l 快断、慢断之分 l 优秀的灭弧性能，高可靠性 l 体积更小、便于贴装...