ROHM(罗姆)R6020ENX-Nch 600V 20A 功率 MOSFET

ROHM(罗姆)R6020ENX-Nch 600V 20A 功率 MOSFET

ROHM(罗姆)R6020ENX-Nch 600V 20A 功率 MOSFET●R6020ENX特点1) 低导通电阻。2) 切换速度快。3) 栅源电压（Vss）保证为±20V。4) 驱动电路可以简单。5）并行使用很容易。6) 无铅电镀；符合 RoHSROHM(罗姆)R6020ENX-Nch 600V 20A 功率 MOSFET●R6020ENX应用交换●R6020ENX包装规格类型包装...
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冠禹KS3207DAT单N沟道高级功率MOSFET-泰德兰电子

冠禹KS3207DAT单N沟道高级功率MOSFET-泰德兰电子

产品名称：冠禹KS3207DAT单N沟道高级功率MOSFET 产品型号：KS3207DAT 代理品牌：kwansemi冠禹 产品封装：TO-252封装 交期时间：现货一般当天交货，预定需电话详情. 发货货仓：深圳/香港热门标签：KS3207DAT参数，KS3207DAT规格书，KS3207DAT中文资料资料下载：冠禹KS3207DAT单...
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台湾松木ME3920-G双N沟道 30V(D-S) 笔记本电源管理MOS管方案！

台湾松木ME3920-G双N沟道 30V(D-S) 笔记本电源管理MOS管方案！

　　ME3920-G一般说明　　ME3920-G 是双 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术。 这种高密度工艺特别适合最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，以及非常小的外形表面贴装封装所需的低在线功率损耗。　　ME3920-G特点　　● RDS(ON)≦24mΩ@ VGS =10V　...
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Mos管的压降怎么计算？具体公式是哪些？

Mos管的压降怎么计算？具体公式是哪些？

Mos管的压降可以根据海涅公式进行计算，该公式为管道压力损失计算的基本公式之一。具体公式为：ΔP = f × (L/D) × (V²/2g)。其中，ΔP表示管道压力损失值，f表示阻力系数，L表示管道长度，D表示管道内径，V表示流速，g表示重力加速度。此外，在规格书中，Mos管有导通电阻Rds(on)这个参数。根据Mos管的Vgs电压，对应有一定值的Rds(on)，然后通过电流Id*Rd...
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维安WMF10N60C4，600V超级结功率 MOSFET 期货8-10周交货，单价1.95元含税

维安WMF10N60C4，600V超级结功率 MOSFET 期货8-10周交货，单价1.95元含税

产品名称：维安WMF10N60C4，600V超级结功率 MOSFET产品型号：WMF10N60C4代理品牌：WAYON维安产品封装： SOT-223-2L交期时间：现货一般当天交货，预定需电话详情.发货货仓：深圳/香港/上海/苏州热门标签：WMF10N60C4规格书，WMF10N60C4原理图描述WMOSTM C4 是 Wayon 的第四代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术...
mos管 27 0
安森德ASDM30N55E（替代）美国aos万代AON7544 DFN3 30V N沟道 MOS管

安森德ASDM30N55E（替代）美国aos万代AON7544 DFN3 30V N沟道 MOS管

0V N 沟道 MOSFET安森德ASDM30N55E特征•100% EAS 保证•绿色设备可用•超低栅极电荷•优异的CdV/dt效应衰减•先进的高细胞密度沟槽技术安森德ASDM30N55E应用• 逆变器系统中的电源管理安森德ASDM30N55E（替代）美国aos万代AON7544 DFN3 30V N沟道 MOS管AON7544最新 Trench Power AlphaMOS (αM...
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