ASDM4406S（代替）XP4406，30V N 沟道 MOSFET
ASDM4406S特征●高效率●低密度单元设计●先进的沟槽工艺技术●改进的dv/dt能力●可靠坚固ASDM4406S应用●网络、负载切换●LED照明ASDM4406S数量一盘数量为4000支ASDM4406S封装SOP-8Tj=25℃时的绝对最大额定值（除非另有说明）...
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松木ME4411-G，P沟道30V (D-S) MOSFET（代替）新洁能NCE30P15S mos管
NCE30P15SP 沟道 30V (D-S) MOSFETME4411-G一般说明ME4411-G 是 P 通道逻辑增强模式电源场效应晶体管是使用高单元密度 DMOS 生产的沟槽技术。 这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。 这些设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路需要高侧开关和低在线功率损耗的地方非常小的外形表面贴装封装。ME4411-...
松木ME4411-G（代替）Aos万代AOSP21357P沟道30V (D-S) MOSFET
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松木P沟道 30V (D-S) MOS管ME4435/ME4435-G(替代)CJQ4435方案
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30V N通道 MOS管SOT23-6封装 安森德ASDM6802ZC替代AOS万代AO6802方案
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冠禹KS3205NAT单N沟道高级功率MOSFET-泰德兰电子
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