WAYQN维安车用熔断器

WAYQN维安车用熔断器

熔断器结构组成:以金属片为熔体,经对熔体冲制成型、焊接、装配、填 砂、固化等工序将熔体装配在陶瓷管体中,两端为装配电极, 得到具有一定耐压及分断能力的熔断器。熔断器性能特点:l 高耐压,大电流,高分断能力l 优秀的灭弧性能,高可靠性l 结构简单,生产效率高...
半导体芯片 69 0
WAYQN维安中空保险丝

WAYQN维安中空保险丝

结构组成:由设有凹槽的两层绝缘基板对称压合构成中空壳体,熔 丝悬置于壳体内腔中,与端电极、贴装电极形成电连接。性能特点:l 200%过流下快速熔断l 优秀的耐脉冲电流能力 l 宽泛的额定电流和电压l 高度密封设计,安全性高...
半导体芯片 53 0
WAYQN维安塑壳贴片保险丝

WAYQN维安塑壳贴片保险丝

结构组成:对金属片熔体进行图案设计,将熔体折弯、塑封在耐温 壳体中,熔体两端露出形成贴装电极,得到大电流高可靠性保 险丝性能特点:l 体积小,大电流l 优异的分断能力,高可靠性l 结构简单,生产效率高...
半导体芯片 87 0
WAYQN维安厚膜印刷保险丝

WAYQN维安厚膜印刷保险丝

结构组成: 在陶瓷基板表面印刷熔体浆料图案、保护层、字符等, 经过封端、烧结等工序得到厚膜印刷保险丝。性能特点: l 快断、慢断之分 l 优秀的灭弧性能,高可靠性 l 体积更小、便于贴装...
半导体芯片 71 0
WAYQN维安1206/0603/0402多层独石保险丝

WAYQN维安1206/0603/0402多层独石保险丝

结构组成: 在厚度精确且致密的生瓷带中印刷熔体浆料图案,通过 等静压、分切、封端、烧结等工序得到陶瓷基体保险丝。性能特点:l 快断、慢断之分l 优秀的灭弧性能,高可靠性l 体积小、重量轻(1206/0603/0402)...
半导体芯片 53 0
WAYQN维安电力熔断器

WAYQN维安电力熔断器

熔断器结构组成:以金属片为熔体,经对熔体冲制成型、焊接、装配、填 砂、固化等工序将熔体装配在陶瓷管体中,两端为装配电极, 得到具有一定耐压及分断能力的熔断器。熔断器性能特点:l 高耐压,大电流,高分断能力l 优秀的灭弧性能,高可靠性l 结构简单,生产效率高...
半导体芯片 57 0
WAYQN维安瓷管保险丝

WAYQN维安瓷管保险丝

结构组成:以陶瓷管为基体,金属熔体焊接在两端金属端帽上,经 装配、焊接、电镀等工序,得到陶瓷管保险丝。性能特点:l 宽泛的额定电流,高分断能力l 优秀的灭弧性能,高可靠性l 体积小、重量轻...
半导体芯片 46 0
理光R1111系列 低消费电流电压稳压器

理光R1111系列 低消费电流电压稳压器

R1111 系列8V输入150mA电压稳压器R1111系列是基于CMOS工艺的LDO电压稳压器,可输出150mA。(1.5V≤ VSET≤ 1.7V时,100mA)最大输入电压高达8V,这使得该产品非常适合用于各种设备的电源,包括手持式通信设备。可以选择CE端子的极性。另外还准备了端子配置不同的R1121系列。 项目消费输入电压范围2.0 V to 8.0 V (9.0 V)工作温度范...
半导体芯片 86 0
理光半导体 R1114系列 LDO线性稳压器

理光半导体 R1114系列 LDO线性稳压器

R1114 系列150mA电压稳压器R1114系列是基于CMOS工艺可输出150mA的LDO电压稳压器。该系列产品的高纹波抑制和出色的负载瞬态响应使其非常适合用于手持式通信设备的电源。可以选择CE端子的极性。另外还准备了搭载自动放电功能的版本。 项目消费车载输入电压范围2.0 V to 6.0 V (6.5 V)工作温度范围-40°C to 85°C (125°C)电源电流Typ. 7...
半导体芯片 68 0
理光RP114K101D-TRB低压300mA LDO稳压器

理光RP114K101D-TRB低压300mA LDO稳压器

基本介绍:RP114x 是一款基于 CMOS 的稳压器 IC,具有高输出电压精度、低电源电流、低压差和高纹波抑制功能。该IC由电压基准单元、误差放大器、设定输出电压的电阻、短路电流限制电路、芯片使能电路等组成。 RP114x 的最小输入电压为 1.4V,输出电压可设置为 0.8V 至 3.6V(步长为 0.1V)。 该 IC 的输出电压在内部是固定的。由于内置了低导通电阻的晶体管,该I...
半导体芯片 51 0