维安WMF08N80M3，800V超级结功率 MOSFET
描述WMOSTM M3 是 Wayon 的第三代 800V 超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds =850V@Tj,max典型。 RDS(on)=1.2Ω100% UI 测试无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视DescriptionWMOSTM...
热门文章
维安WMF10N60C4，600V超级结功率 MOSFET
描述WMOSTM C4 是 Wayon 的第四代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极充电性能。 WMOSTM C4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征•Vds =650V @ Tj,max•典型 RDS(on)=0.52Ω•100% UI 测试•无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视DescriptionWMOSTM...
维安WMF10N65C4，650V超级结功率 MOSFET
描述WMOSTM C4 是 Wayon 的第 4 代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds =700V @ Tj,max典型。 RDS(on)=0.52Ω100% UI 测试无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视...
维安WMR80N65C4，650V功率MOSFET
描述WMOS C4 是 Wayon 的第 4 代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS C4 适用于需要更高功率密度和出色效率的应用。特征VDs=700V@Tj，最大值Typ.Rps(on) =0.033Ω100%UIS 测试无铅电镀，无卤素应用LED照明，充电器，适配器，PC，LCDTV，服务器Description WMOS C...
维安WMx03N80M3，800V功率 MOSFET
描述WMOS M3 是 Wayon 的第三代 800v 超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS M3 适用于需要更高功率密度和出色效率的应用。其他型号：WML03N80M3,WMN03N80M3,WMM03N80M3,WMO03N80M3,WMP03N80M3,WMK03N80M3特征VDs=850V@Tj，最大值Typ.Rps(on...
维安WMO04N60C2,600V功率MOSFET
描述WMOSTM C2 是 Wayon 的第二代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C2 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征•Vds =650V @ Tj,max•典型。 RDS(on)=1.7Q•100% UI 测试•无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视其他型号：PartPackageM...
维安WMN04N65DM，650V N沟道功率MOSFET
描述WMOSTM DM是硅N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术获得，可降低导通损耗，提高开关性能，增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。特征快速切换典型。 RDS(on) =2.3Ω低栅极电荷（典型值 Qg = 12.5C）典型。 Crss = 4.1pF100% UIS 测试应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器Par...
维安 WMM04N80M3，800V 超级结功率MOSFET
产品描述WMOSTM M3 是 Wayon 的第三代 800V 超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征•Vds =850V @ Tj,max•典型。 RDS(on)=2.1Ω•100% UI 测试•无铅电镀，无卤素产品应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器订...
维安WML05N80M3，800V 超级结功率 MOSFET
描述WMOSTM M3 是 Wayon 的第三代 800V 超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds =850V @ Tj,max典型。 RDS(on)=2.0Ω100% UI 测试无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器Description...
维安WML05N90C2，900V 超级结功率 MOSFET
产品描述WMOSTM C2 是 Wayon 的第二代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C2 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征•Vds =950V @ Tj,max•典型。 RDS(on)=2.5Ω•100% UI 测试•无铅电镀，无卤素产品应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器Descrip...