维安WGM100PC120T1三相PIM IGBT模块

维安WGM100PC120T1三相PIM IGBT模块

产品概述:WGM100PC120T1 ,1200V,100A三相PIM IGBT模块,采用Trench Field Stop技术。功率集成模块整流器和制动斩波器。产品特征:Trench-FS IGBT低 VCE 集低开关损耗低 LSTj max=175 ℃100%RBSOA 测试(2Ic)VCE 设置为正温度。 系数RoHS产品应用:电机驱动伺服驱动器WGM100PC120T11200...
半导体芯片 43 0
维安WGM150FC120T1三相PIM IGBT模块

维安WGM150FC120T1三相PIM IGBT模块

产品描述:WGM150FC120T1 1200V,150A Sixpack IGBT 模块,采用 Trench Field Stop 技术产品特征:Trench-FS IGBT低 VCE 集低开关损耗低 LSTj max=175 ℃VCE 设置为正温度。 系数RoHS产品应用:电机驱动伺服驱动器...
半导体芯片 45 0
维安WGM200HC120T1,200A双IGBT模块

维安WGM200HC120T1,200A双IGBT模块

WGM200HC120T1 1200V,200A 双IGBT模块,采用Trench Field Stop技术特征:Trench-FS IGBT低 VCE 集低开关损耗低 LSTj max=175 ℃100%RBSOA 测试(2Ic)VCE 设置为正温度。 系数RoHS应用:电机驱动伺服驱动器UPS焊接WGM200HC120T1 1200V,200A dual IGBT module w...
半导体芯片 46 0
维安WGM300HC120T1,300A双IGBT模块

维安WGM300HC120T1,300A双IGBT模块

WGM300HC120T1 1200V,300A 双IGBT模块,采用Trench Field Stop技术特征:Trench-FS IGBTLow VCE set低开关损耗低 LSTj max=175 ℃100%RBSOA Tested(2Ic)VCE 设置为正温度。 系数RoHS应用:电机驱动伺服驱动器UPS焊接WGM300HC120T11200V,300A dual IGBT m...
半导体芯片 39 0
维安WGM450HD120T1,450A双IGBT模块

维安WGM450HD120T1,450A双IGBT模块

WGM450HD120T1 1200V,450A 双IGBT模块,采用Trench Field Stop技术特征:Trench-FS IGBTLow VCE set低开关损耗Low LSTj max=175 ℃100%RBSOA 测试(2Ic)VCE 设置为正温度。 系数应用:电机驱动伺服驱动器UPS焊接WGM450HD120T1 1200V,450A dual IGBT module...
半导体芯片 41 0
维安WGM600HD120T1,600A双IGBT模块

维安WGM600HD120T1,600A双IGBT模块

WGM600HD120T1,1200V,600A双IGBT模块,采用Trench Field Stop技术特征:Trench-FS IGBT低 VCE 集低开关损耗低 LSTj max=175 ℃100%RBSOA 测试(2Ic)VCE 设置为正温度。 系数RoHS应用:电机驱动伺服驱动器UPS焊接WGM600HD120T1,1200V,600A dual IGBT module wi...
半导体芯片 38 0
维安WMA26N60C2,600V超级结功率MOSFET

维安WMA26N60C2,600V超级结功率MOSFET

产品描述:WMOSTM C2 是 Wayon 的第二代超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSTMC2 适用于需要更高功率密度和出色效率的应用。产品特征:VDs=650V@Tj.maxTyp.RDS(on) =0.16Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素产品应用:LED Lighting, Charger, Adapter, PC,...
半导体芯片 88 0
维安WMK05N70MM,700V齐纳保护功率MOSFET

维安WMK05N70MM,700V齐纳保护功率MOSFET

产品描述WMOSTM MM 是 Wayon 的新一代超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSTM MM 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征VDs=750V@Tj.maxTyp.RDS(on) =1.2Ω超低栅极电荷(典型值 Qg = 5.3nC)齐纳保护产品应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视Descriptio...
半导体芯片 70 0
维安WMF08N60C4,600V 超级结功率 MOSFET

维安WMF08N60C4,600V 超级结功率 MOSFET

描述WMOS TM C4 是 Wayon 的第 4 代超级结 MOSFET 系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征VDS =650V @ Tj,最大值典型。 RDS(on) =0.65Ω100% UIS 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器Description...
半导体芯片 35 0
维安WMF08N65C4,650V超级结功率 MOSFET

维安WMF08N65C4,650V超级结功率 MOSFET

描述WMOSTM C4 是 Wayon 的第四代超级结MOSFET系列,它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极充电性能。 WMOSTM C4适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds =700V @ Tj,max典型RDS(on)=0.65Ω100% UI 测试无铅电镀,无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务DescriptionWMOSTM C4 i...
半导体芯片 46 0