免费电子论坛

描述WMOS M3 是 Wayon 的第三代 800v 超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS M3 适用于需要更高功率密度和出色效率的应用。其他型号：WML03N80M3,WMN03N80M3,WMM03N80M3,WMO03N80M3,WMP03N80M3,WMK03N80M3特征VDs=850V@Tj，最大值Typ.Rps(on...

描述WMOSTM C2 是 Wayon 的第二代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C2 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征•Vds =650V @ Tj,max•典型。 RDS(on)=1.7Q•100% UI 测试•无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视其他型号：PartPackageM...

描述WMOSTM DM是硅N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术获得，可降低导通损耗，提高开关性能，增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。特征快速切换典型。 RDS(on) =2.3Ω低栅极电荷（典型值 Qg = 12.5C）典型。 Crss = 4.1pF100% UIS 测试应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器Par...

产品描述WMOSTM M3 是 Wayon 的第三代 800V 超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征•Vds =850V @ Tj,max•典型。 RDS(on)=2.1Ω•100% UI 测试•无铅电镀，无卤素产品应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器订...

描述WMOSTM M3 是 Wayon 的第三代 800V 超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds =850V @ Tj,max典型。 RDS(on)=2.0Ω100% UI 测试无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器Description...

产品描述WMOSTM C2 是 Wayon 的第二代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C2 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征•Vds =950V @ Tj,max•典型。 RDS(on)=2.5Ω•100% UI 测试•无铅电镀，无卤素产品应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器Descrip...

描述WMOSTM C2 是 Wayon 的第二代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C2 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds = 1050V @ Tj,max典型。 RDS(on)=2.6Ω100% UI 测试无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器选型PartPackageMa...

描述WMOSTM EM 是 Wayon 的第三代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM EM 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征•Vds =750V @ Tj,max•典型。 RDS(on)=0.21Ω•100% UI 测试•无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器选型PartPackag...

描述WMOSTM C4 是 Wayon 的第 4 代超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSTM C4 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。特征Vds =550V @ Tj,max典型。 RDs(on)=0.22Ω100% UI 测试无铅电镀，无卤素应用LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器...

产品描述WMOS M3 是 Wayon 的第 3 代 800V 超级结 MOSFET 系列，它利用电荷平衡技术实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS M3 适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。产品特征VDs=850V@Tj.maxTyp.RDs(on) =0.68Ω100% UIS 测试无铅电镀，无卤素产品应用LED照明，充电器，适配器，电脑，液晶电视，服务器...